第1問
フラッシュメモリに関する記述として、最も適切な組み合わせを下記の解答群か ら選べ。 ａ 揮発性メモリであるので、紫外線を照射することでデータを消去できる。 ｂ 不揮発性メモリであるので、電源を切っても記憶していたデータを保持できる。 ｃ NAND 型とNOR 型を比べると、読み出し速度はNAND 型の方が速い。 ｄ NAND 型とNOR 型を比べると、書き込み速度はNAND 型の方が速い。 ｅ NOR 型は、USB メモリやSSD などの外部記憶装置に用いられている。
- ア ａとｄ
- イ ａとｅ
- ウ ｂとｃ
- エ ｂとｄ
- オ ｃとｅ
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正解：エ
解答：エ
フラッシュメモリは電気的に書き換える不揮発性メモリ。NAND型とNOR型の特性差を正確に押さえる。
- ａ（×）：フラッシュメモリは不揮発性メモリであり、紫外線で消去するのは旧式のUV-EPROM。電気的に消去するEEPROMの一種である。
- ｂ（○）：不揮発性メモリであり、電源を切ってもデータを保持する。
- ｃ（×）：読み出し（ランダムアクセス）はNOR型の方が高速。NAND型はブロック単位アクセスで読み出しはNORに劣る。
- ｄ（○）：書き込み・消去はNAND型の方が高速で大容量化に向く。
- ｅ（×）：USBメモリやSSDなどの大容量外部記憶に用いられるのはNAND型。NOR型はプログラム格納など随時読み出し用途が中心。
正しい記述はｂとｄであり、よって エ。